薄膜开关的工作高频状态和优点

薄膜开关先将工频交流整流为直流，再逆变为高频，后经过整流滤波电路输出，稳定的直流电压，因此自身含有大量的谐波干扰。同时，由于变压器的漏感和输出二管的反向恢复电流造成的尖峰，都形成了潜在的电磁干扰。薄膜开关中的干扰源主要集中在电压、电流变化大的元器件上，突出表现在开关管、二管、高频变压器等上。

薄膜开关工作在高频状态，因而其分布电容不可忽略。高频电流会通过分布电容流到散热片上，再流到机壳地，产生共模干扰；脉冲变压器的初次级之间存在着分布电容，可在副边作直流输出的两条电源线上产生共模干扰。

开关电路是薄膜开关的主要干扰源之一。开关电路是薄膜开关的核心，主要由开关管和高频变压器组成。它产生的du/dt具有大幅度的脉冲，频带较宽且谐波丰富，形成关断电压尖峰。电源电压中断会产生与初级线圈接通时一样的磁化冲击电流瞬变，这种瞬变是一种传导型电磁干扰，既影响变压器初级，还会使传导干扰返回配电系统，造成电网谐波电磁干扰，从而影响其他设备的和经济运行。

整流电路中，在输出整流二管截止时有一个反向电流，它恢复到零点的时间与结电容等因素有关。其中，能将反向电流恢复到零的二管称为硬恢复特性二管，这种二管在变压器漏感和其他分布参数的影响下将产生较不错的高频干扰。

高频变压器的初级线圈、开关管和滤波电容构成的高频开关电流环路可能会产生大的空间辐射，形成辐射干扰。如果电容滤波容量不足或高频特性不好，电容上的高频阻抗会使高频电流以差模方式传导到交流电源中形成传导干扰。

薄膜开关将市电直接整流滤波成为直流高压，然后通过逆变器转换成低压的高频交流电压，再经过二次整流和滤波变成所需要的直流低电压。考虑到目前大量应用的薄膜开关都是采取AC/DC-DC/DC级联的形式。

薄膜开关产生电磁干扰根本的原因，就是其在工作过程中产生的高di/dt和高dv/dt，它们产生的浪涌电流和尖峰电压形成了干扰源。整流电容充电放电，开关管和输出整流二管的电压、电流在高频工作时的切换都是这类电磁干扰源，它们通过电源线以共模或差模方式向外传导，同时还向周围空间辐射电磁能量。

薄膜开关因工作在高电压、大电流的开关状态下，随着薄膜开关向高频大功率发展，功率密度的增加导致电源内部电磁环境变得复杂，不可避免地导致严重的电磁干扰(EMI)，对电源品本身及周围电子设备的正常工作造成威胁。交流电网电压整流和滤波平滑后变成直流电压作为DC/DC变换器的输入电压。然后，通过二次整流滤波输出直流电压，即为所需要的负载电压。采样电压与基准电压进行比较，将比较差值放大后用以调节开关控制脉冲的占空比，从而调节变换电路中功率变换开关的通断比来稳定输出电压。输入/输出电源线布线不正确、PCB布线不正确、结构设计的不正确、电源线输入滤波不正确及CPU或检测电路的设计不正确都会导致系统工作的不稳定。此外用于整流及续流的二管也会产生高频干扰，成为干扰源。

薄膜开关的开关速度进步后，会受电路中分布电感和电容或二管中存储电荷的影响而产生浪涌或噪声。这样，不仅会影响附近电子设备，还会降低电源本身的性。其中，为防止随开关启-闭所发生的电压浪涌，可采用R-C或L-C缓冲器，而对由二管存储电荷所致的电飘流涌可采用非晶态等磁芯制成的磁缓冲器。不外，对1MHz以上的高频，要采用谐振电路，以使开关上的电压或通过开关的电流呈正弦波，这样既可减少开关损耗，同时也可控制浪涌的发生。这种开关方式称为谐振式开关。

薄膜开关液压式内高压成形技术与其他冲压成形技术相比，有几项明显优点：

一、薄膜开关冲压件工件外表板面只与压力液体接触，加压过程较平缓，零部件成形变化均匀，可获得匀称的压力分布，并能获得者好得多的平滑外表面。

二、液压内盛开有的冲模和工具费用可下降40%，特别降低了凸型零件加工的节拍时间较短，约为0.1-0.5MIN，这在特种成形工艺中是较短的，可实现批量生产。

三、在成形过程中可一次加工出如车桥，顶盖板，门框等大型复杂的三维几何形状的工件。

四、因为液体在成形过程中冷却作用，使工件被"冷作"，获得比一般冲压加工的工件强度，这使得允许采用愈薄的板材，使工件愈轻量化。